Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB 5600 MHz Impact Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IB-32)

Зверніть увагу! Ціна вказана за 1м. Товар продається мінімально від 1м.

З чудовою швидкістю, функцією Plug N Play, подвоєною з 16 до 32 кількістю банків і подвоєною з 8 до 16 довжиною пакету Kingston FURY Impact DDR5 ідеально підходить для геймерів і ентузіастів, яким потрібна вища продуктивність на платформах наступного покоління.

Збільшуючи швидкість, ємність і надійність, Kingston FURY Impact DDR5 пропонує цілий арсенал розширених функцій, як-от ECC на кристалі (ODECC) для підвищення стабільності на екстремальних швидкостях, два 32-бітові підканали для підвищення ефективності та інтегрована в модуль схема керування живленням (PMIC), яка забезпечує контроль і підстроювання напруг безпосередньо на модулі пам'яті. Під час гри в найекстремальніших умовах, під час стрімінгу у форматі 4K і вище або під час серйозної анімації та 3D-рендерінгу, Kingston FURY Impact DDR5 - це наступне підвищення рівня, під час якого ідеально поєднуються стиль і продуктивність.

Крім того, Kingston FURY Impact DDR5 отримала сертифікат Intel XMP 3.0 і Certified, що означає, що користувачі можуть розраховувати на простий, стабільний і сертифікований розгін.

Особливості:

• Вища продуктивність: Пам'ять DDR5 на 50% швидша, ніж DDR4, що додає продуктивності в іграх, рендері та багатозадачних середовищах.
• Підтримка технології автоматичного розгону Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 підтримує автоматичний розгін до максимальної частоти, зазначеної в специфікаціях.
• Сертифікація Intel XMP 3.0: Підвищення продуктивності пам'яті з попередньо оптимізованими таймінгами, швидкістю і напругою живлення для розгону.
• Нижче енергоспоживання, вища ефективність: Зниження тепловиділення і підвищення ефективності системи завдяки низькій напрузі живлення пам'яті Impact DDR5 1.1 В.
• Підвищена стабільність під час розгону: Корекція помилок на кристалі (On-die ECC, ODECC) допомагає забезпечити цілісність даних під час розгону пам'яті для підвищення її продуктивності.